このノーベル賞受賞者は誰でしょう？
（＃１）
クイズ＃０１８ このノーベル賞受賞者は誰 ＃１ の答え
（＃２）
クイズ＃０１８ このノーベル賞受賞者は誰 ＃２ の答え
朝永 振一郎（ともなが しんいちろう、1906年（明治39年）3月31日 – 1979年（昭和54年）7月8日）は、日本の物理学者。相対論的に共変でなかった場の量子論を超多時間論で共変な形にして場の演算子を形成し、場の量子論を一新した。超多時間論を基に繰り込み理論の手法を発明、量子電磁力学の発展に寄与した功績によってノーベル物理学賞を受賞した。東京生まれで、少年時代以降は京都育ち。なお、朝永家自体は長崎県の出身。武蔵野市名誉市民。
(WikiPediaより）
（＃３）
クイズ＃０１８ このノーベル賞受賞者は誰 ＃３ の答え
江崎 玲於奈（えさき れおな、「崎」は清音、1925年（大正14年）3月12日- ）は、日本の物理学者。日本国外においてはレオ・エサキ（Leo Esaki）の名で知られる。
1973年（昭和48年）にアイヴァー・ジェーバー、ブライアン・ジョゼフソンとともに、トンネル効果に関連して日本人としては4人目となるノーベル賞（ノーベル物理学賞）を受賞した。文化勲章受章者、勲一等旭日大綬章受章者。
大阪府中河内郡高井田村（現在の東大阪市）で生まれ、京都市で育つ。1947年に東京帝国大学を卒業し、川西機械製作所（後の神戸工業株式会社、現在のデンソーテン）に入社、真空管の陰極からの熱電子放出の研究を行った。1956年、東京通信工業株式会社（現在のソニー）に移籍する。半導体研究室の主任研究員として、PN接合ダイオードの研究に着手し、約1年間の試行錯誤の後、ゲルマニウムのPN接合幅を薄くすると、その電流電圧特性はトンネル効果による影響が支配的となり、電圧を大きくするほど逆に電流が減少するという負性抵抗を示すことを発見した。
発見の顛末については、当時東通工が製造していたゲルマニウムトランジスタの不良品解析において、偶然トンネル効果を持つトランジスタ（製品としては使い物にならない）が見つかったことが発見のきっかけであることが、後にNHKスペシャル「電子立国日本の自叙伝」の中で当時の関係者により語られている（詳しくはトランジスタラジオ#歴史を参照）。
この発見は、物理学において固体でのトンネル効果を初めて実証した例であり、かつ電子工学においてトンネルダイオード（またはエサキダイオード）という新しい電子デバイスの誕生であった。この成果により、1959年に東京大学から博士の学位を授与されている。1973年には、超伝導体内での同じくトンネル効果について功績のあったアイヴァー・ジェーバーと共にノーベル物理学賞を受賞した。同年の物理学賞はジョセフソン効果のブライアン・ジョゼフソンにも与えられている。
(WikiPediaより）
（＃４）
クイズ＃０１８ このノーベル賞受賞者は誰 ＃４ の答え
小柴 昌俊（こしば まさとし、1926年〈大正15年〉9月19日 – 2020年〈令和2年〉11月12日）は、日本の物理学者、天文学者。勲等は勲一等。正三位。学位はDoctor of Philosophy（ロチェスター大学・1955年）、理学博士（東京大学・1967年）。東京大学特別栄誉教授・名誉教授、東海大学特別栄誉教授、杉並区立桃井第五小学校名誉校長、日本学術会議栄誉会員、日本学士院会員、文化功労者。
シカゴ大学研究員、東京大学原子核研究所助教授、東京大学理学部教授、東京大学高エネルギー物理学実験施設施設長、東海大学理学部教授、財団法人平成基礎科学財団理事長などを歴任した。
愛知県生まれの物理学者であり、ニュートリノ天文学を開拓した天文学者でもある。東京大学や東海大学にて教鞭を執った。1987年、自らが設計を指導・監督したカミオカンデによって史上初めて太陽系外で発生したニュートリノの観測に成功した。この業績により、1989年に日本学士院賞を受賞し、2002年にはノーベル物理学賞を受賞した。また、1997年に文化勲章を受章しており、日本学士院会員にも選任されている。晩年は、ノーベル物理学賞の賞金などを基にして平成基礎科学財団を設立し、科学の啓蒙活動に取り組んだ。
（＃５）
クイズ＃０１８ このノーベル賞受賞者は誰 ＃５ の答え
赤﨑 勇（あかさき いさむ、1929年1月30日 – 2021年4月1日）は、日本の半導体工学者。学位は工学博士（名古屋大学・1964年）。名城大学大学院理工学研究科・特別栄誉終身教授、名城大学先端科学技術研究所所長、名古屋大学特別教授・名誉教授、名古屋大学赤﨑記念研究センターフェロー。京都大学名誉博士。日本学術会議栄誉会員、日本学士院会員。恩賜賞、文化勲章、文化功労者受章。『 高輝度青色発光ダイオードの発明 』で2014年度ノーベル物理学賞を受賞。
鹿児島県出身の半導体工学者。未来の万能光源とされLEDにおける高輝度青色発光ダイオードの源となる窒化ガリウム (GaN)結晶化の研究が知られており、世界の名立たる大学、産業界、研究所の研究者達が挑戦しながらも物性制御が非常に困難とされ撤退せざる得なかった、窒化ガリウムを半導体研究ではそれまで用いることがほとんどなかったMOCVD装置を用いる事を決断し、ウェハー上にはサファイア基板を用いAlNによる低温堆積バッファ層技術によって1985年、不可能視されていた窒化ガリウムGan完全結晶化に世界で初めて成功する（『特許1708203／米国特許4855249』『特許3026087／米国特許5122845』）。そして理論上不可能とされた窒化ガリウムにおけるp型伝導特性の発見や、結晶構造における単位格子の相違から実現困難だとされ、窒化物半導体発光ダイオードを高輝度にする為に必要なp型半導体n型半導体のＰＮ接合青色発光ダイオードを完成し、1989年に不可能に近いとされた待望の青色LEDの発明に成功する。1995年には世界初となる短波長半導体レーザー(青色レーザー)を開発し室温パルス発振を成功させた。
また自然界には存在し得なかった青色LED発光半導体となる窒化ガリウム完全結晶の創造はエレクトロニクス革命とも呼ばれ、現在世界で主要となるシリコン半導体の性能指数値(εμeEc3)を桁違いとなる1130倍以上も上回る高性能を持ち、完全クリーンかつ光学的特性、電気的特性、物理的特性、化学的特性の全てを兼ね備えた究極の万能次世代半導体であるGaN窒化物半導体の発明にも繋がることにもなった。これらの青色発光ダイオード発明業績、GaN窒化物半導体に関する業績の原著論文は約700編以上、221以上にも上る特許を取得している。
（Wikipediaより）
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